Doorgaan naar hoofdcontent

+31 88 1300 700

Onderdeel van de TTI-familie van specialisten Neem contact op met Mouser (Nederland) +31 88 1300 700 Feedback

Locatie wijzigen

In voorraad

RoHS

Aanmelden
Nieuwe klant? Begin hier
Aanmelden
Nieuwe klant? Begin hier

Bestelgeschiedenis

Fabrikant	Fabrikantnr:	Aant	Totale waarde

Winkelwagentje bekijken

Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

C2M0080120D

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

941-C2M0080120D

Fabrikantnr:

C2M0080120D

Fabrikant:

Wolfspeed

Omschrijving:

SiC MOSFET's ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

Levenscyclus:

Verouderd

Gegevensblad:

C2M0080120D Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Melding verzending:

Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Wolfspeed
Productcategorie:	SiC MOSFET's
Verzendbeperkingen:	Mouser verkoopt dit product momenteel niet in uw regio.
RoHS:
REACH - SVHC:
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	TO-247-3
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	1.2 kV
Id - Continue afvoerstroom:	31.6 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	98 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4 V
Qg - Ingangsbelasting:	71 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Pd - Vermogensverlies:	208 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Merk:	Wolfspeed
Configuratie:	Single
Daaltijd:	21 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	3.9 S
Verpakken:	Tube
Product:	Power MOSFETs
Producttype:	SiC MOSFETS
Stijgtijd:	34 ns
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	30
Subcategorie:	Transistors
Polariteit transistor:	N-Channel
Type:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typische uitschakelvertragingstijd:	23.2 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	12 ns
Gewicht per stuk:	6 g

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

C2M0080120D Gegevensblad (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification 2024-09-30 (PDF)

PCN

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: China
Land van herkomst van de assemblage:: Niet beschikbaar
Land van diffusie:: Niet beschikbaar

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

UITGELICHTE PRODUCTEN

WOLFSPEED

1700V Silicon Carbide MOSFETs

Offers higher switching, system efficiency, and power density for next-generation power conversion.

Meer informatie

TO-247-4 1 200 V SiC vermogens-MOSFET’s met laag profiel

Bieden een hoge systeemefficiëntie, verminderen schakelverliezen en minimaliseren gate ringing.

Meer informatie

750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Enable high system power density with a low-profile design in industry-standard packages.

Meer informatie

SiC MOSFETs C3M™ in TOLL Package

Offers a much lower on-state resistance temperature dependence than standard silicon MOSFETs.

Meer informatie

650 V siliciumcarbide vermogens MOSFET's

Geoptimaliseerd pakket met een aparte driverbronpen, die C3M SiC MOSFET-technologie gebruikt.

Meer informatie

Beschikbaarheid

Voorraad:: Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.

Vergelijkbare producten

Wolfspeed C4D20120A

Fabrikant:

Wolfspeed

Fabrikantnr:

C4D20120A

Omschrijving:

SiC Schottkydiodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Vergelijk met het geselecteerde onderdeel