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ST8L60N065DM9

Name: STMicroelectronics ST8L60N065DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L60N065DM9
Price: 6.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-ST8L60N065DM9

N° de fab. :

ST8L60N065DM9

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Fiche technique:

ST8L60N065DM9 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	39 A
Rds On - Résistance drain-source:	65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	66 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	202 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	MDmesh DM9
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	59 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	180 mg

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

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Stock:: 130

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Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	6,06 €	6,06 €
	3,23 €	32,30 €
	2,96 €	296,00 €
	2,80 €	1.400,00 €
	2,73 €	2.730,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,64 €	7.920,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

ST8L60N065DM9

Fab. : STMicroelectronics

Description : MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET Complétez votre conception

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