STB33N60M2

STMicroelectronics
511-STB33N60M2
STB33N60M2

Fabrikant:

Omschrijving:
MOSFET's N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET's in D2PAK package

ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
STMicroelectronics
Productcategorie: MOSFET's
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
125 mOhms
25 V
3 V
45.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Merk: STMicroelectronics
Configuratie: Single
Daaltijd: 9 ns
Producttype: MOSFETs
Stijgtijd: 9.6 ns
Reeks: STB33N60M2
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 1000
Subcategorie: Transistors
Transistortype: 1 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd: 109 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 16 ns
Gewicht per stuk: 4 g
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Conformiteitscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificaties oorsprong
Land van oorsprong:
Singapore
Land van herkomst van de assemblage:
Niet beschikbaar
Land van diffusie:
Niet beschikbaar
Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.

In voorraad: 987

Voorraad:
987 Kan onmiddellijk worden verzonden
Fabriekslevertijd:
24 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
-,-- €
Ext. Prijs:
-,-- €
Est. Tarief:
Verpakking:
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 1000)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™
4,40 € 4,40 €
2,73 € 27,30 €
2,34 € 234,00 €
1,96 € 980,00 €
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 1000)
1,72 € 1.720,00 €
† 5,00 € MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren.