Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Resultaten: 20
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
APC-E SiC MOSFET's 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Gegevensblad
266In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Gegevensblad
284In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Gegevensblad
300In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade 300In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFET's 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
300In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Gegevensblad
290In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET's 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Gegevensblad
300In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
265In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
300In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade 290In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFET's 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
268In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
260In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Gegevensblad
300In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET's 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Gegevensblad
600Verwacht 18/11/2026
Min.: 1
Veelv.: 1
: 600

SMD/SMT SAPKG-9L 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET's 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
300Verwacht 18/11/2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement

APC-E SiC MOSFET's 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Verwacht 18/11/2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V

APC-E SiC MOSFET's 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Verwacht 18/11/2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET's 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 15 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET's 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 15 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET's 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 15 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C