IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

Fabrikant:

Omschrijving:
GaN FET's HV GAN DISCRETES

Levenscyclus:
Nieuw product:
Nieuw van deze fabrikant.
Gegevensblad:
ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.
Meer informatie
Meer informatie over Infineon Technologies IGOT65R055D2AUMA1

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
Infineon
Productcategorie: GaN FET's
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
Merk: Infineon Technologies
Configuratie: Single
Vochtgevoelig: Yes
Verpakken: Reel
Verpakken: Cut Tape
Product: Power Transistors
Producttype: GaN FETs
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 800
Subcategorie: Transistors
Transistortype: 1 N-Channel
Type: GaN Power Transistor
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Gegevensblad

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificaties oorsprong
Land van oorsprong:
Indonesië
Land van herkomst van de assemblage:
Indonesië
Land van diffusie:
Oostenrijk
Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

CoolGan™ 600V e-Mode Power Transistors

Infineon Technologies CoolGan™ 600V Enhancement Mode (e-Mode) Power Transistors enable simpler half-bridge topologies with fast turn-on and turn-off speeds. The rugged and reliable transistors are available in high-performing SMD packages to fully exploit the benefits of GaN. The transistors feature high efficiency, high power density, higher operating frequency capability, and reduced EMI. Applications include telecom / datacom / server SMPS, wireless charging, chargers, and adapters.

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

In voorraad: 583

Voorraad:
583 Kan onmiddellijk worden verzonden
Fabriekslevertijd:
26 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
-,-- €
Ext. Prijs:
-,-- €
Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
6,34 € 6,34 €
3,40 € 34,00 €
3,11 € 311,00 €
2,51 € 1.255,00 €
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 800)
2,51 € 2.008,00 €

Er is een onverwachte fout opgetreden.


Hebt u een vraag? Bezoek het Helpcentrum.
Voor vragen over een specifieke bestelling kunt u inloggen op uw account.

Als u nog meer problemen ondervindt, neem dan contact met ons op via 800-346-6873 of stuur een e-mail naar help@mouser.com.