NXH010P90MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P90MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 900V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 15V to 18V. The NXH010P90MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Reeks
Verpakken
onsemi MOSFET-modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Gegevensblad
36In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi MOSFET-modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Gegevensblad
28In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray