EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors (BRTs) are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistors (BRTs) integrate a single transistor with a monolithic bias network comprising two resistors - a series base resistor and a base-emitter resistor. These BRTs eliminate these individual components by integrating them into a single device. The EMD4DXV6 transistors feature a 50VDC collector-base voltage, 50VDC collector-emitter voltage, and 100mADC collector current. These transistors support a -55°C to +150°C junction and storage temperature range.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Configuratie Polariteit transistor Typische ingangsweerstand Typische weerstandsverhouding Montagetype Verpakking / doos Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min Collector-emitterspanning VCEO max. Continue collectorstroom Maximale collectorstroom Pd - Vermogensverlies Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Reeks Verpakken
onsemi Digitale transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital 6.536In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 4.000

Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Digitale transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
4.000Verwacht 30/06/2027
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 400
: 4.000

Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape