HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Technologie Verpakking / doos Montagetype Configuratie Collector-emitterspanning VCEO max. Collector-emitterverzadigingsspanning Maximale gate-emitterspanning Doorlopende voedingsverzamelaar op 25° Pd - Vermogensverlies Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Reeks Verpakken
STMicroelectronics IGBT's Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT 7.929In voorraad
2,87 €
1,87 €
1,28 €
1,07 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGP30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBT's Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT 869In voorraad
1.000Verwacht 12/02/2027
Gesneden tape
3,23 €
2,11 €
1,48 €
1,24 €
Spoel
1,14 €
1,08 €
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.000
Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGB30H60DFB Reel, Cut Tape, MouseReel