Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

SGT1D5R10MEA

Name: STMicroelectronics SGT1D5R10MEA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT1D5R10MEA
Price: 7.13 EUR
Availability: OutOfStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

511-SGT1D5R10MEA

Fabrikantnr:

SGT1D5R10MEA

Fabrikant:

STMicroelectronics

Omschrijving:

GaN FET's 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor

Voltooi uw ontwerp

Levenscyclus:

Nieuw product:

Nieuw van deze fabrikant.

Gegevensblad:

SGT1D5R10MEA Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over STMicroelectronics SGT1D5R10MEA

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	STMicroelectronics
Productcategorie:	GaN FET's
RoHS:
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	FCLGA-8
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	100 V
Id - Continue afvoerstroom:	501 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	1.5 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 4 V to + 6 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	2.1 V
Qg - Ingangsbelasting:	15.9 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 40 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Pd - Vermogensverlies:	735 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Merk:	STMicroelectronics
Configuratie:	Single
Daaltijd:	7.6 ns
Vochtgevoelig:	Yes
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Verpakken:	MouseReel
Product:	Transistors
Producttype:	GaN FETs
Stijgtijd:	7.9 ns
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	3000
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistortype:	1 N-Channel
Type:	PowerGaN Transistor
Typische uitschakelvertragingstijd:	15.7 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	8.2 ns
Gewicht per stuk:	78 mg

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

SGT1D5R10MEA Gegevensblad (PDF)

Conformiteitscodes

USHTS:: 8541600060
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: Niet beschikbaar
Land van herkomst van de assemblage:: Niet beschikbaar
Land van diffusie:: Niet beschikbaar

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor is a 100V, 501A e-mode transistor that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. This transistor features a high switching frequency, enabling compact, high‑power‑density designs with small passives and simplified thermal management. The SGT3D5R10MEB transistor operates at 1.1mΩ typical R_DS(ON) drain resistance and -40°C to +150°C operating junction temperature range. This PowerGaN transistor is ideal for DC-DC converters, motor drivers, and solar system MPPT.

UITGELICHTE PRODUCTEN

STMICROELECTRONICS

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

Designed for high-efficiency and high-power switching applications.

Meer informatie

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor designed for high-efficiency power conversion applications.

Meer informatie

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

Built on GaN technology and designed for demanding power conversion applications.

Meer informatie

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications.

Meer informatie

Alle nieuwe producten van STMicroelectronics weergeven

Beschikbaarheid

Voorraad:: 0

U kunt dit product nog steeds voor een nabestelling kopen.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Besteld:: 500

Verwacht 18/08/2026
Fabriekslevertijd:: 24

weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

-,-- €

Ext. Prijs:

-,-- €

Est. Tarief:

Verpakking:

Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)

Gesneden tape

MouseReel (+5,00 €)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™ ^†
	7,13 €	7,13 €
	5,02 €	50,20 €
	4,06 €	406,00 €
	3,61 €	1.805,00 €
	2,91 €	2.910,00 €
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)
	2,91 €	8.730,00 €

† 5,00 € MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren. ↩

SGT1D5R10MEA

Fabrikant: STMicroelectronics

Omschrijving: GaN FET&#39;s 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor Voltooi uw ontwerp

Specificaties

Documenten (1)

Gegevensblad

Product- en handelsconformiteit

Meer informatie

SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor

UITGELICHTE PRODUCTEN STMICROELECTRONICS

Beschikbaarheid

Prijsbepaling (EUR)

Snelle weergave

Er is een onverwachte fout opgetreden.

Fabrikant:

STMicroelectronics

Omschrijving:

GaN FET's 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor

Voltooi uw ontwerp

UITGELICHTE PRODUCTEN

STMICROELECTRONICS