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STH4N150-2AG

Name: STMicroelectronics STH4N150-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH4N150-2AG
Price: 4.88 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STH4N150-2AG

N° de fab. :

STH4N150-2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package

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Fiche technique:

STH4N150-2AG Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	2.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	10 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	35.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	208 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	72 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	38 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	1,471 g

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Fiche technique

STH4N150-2AG Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

Le MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG de STMicroelectronics est conçu pour fournir un niveau élevé de tension et de robustesse pour le marché automobile. Ce MOSFET est construit à l’aide de la technologie PowerMESH™ ; le dispositif combine une tension nominale drain-source très élevée de 1 500un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.V avec une faible charge de grille et une capacité avalanche robuste. Le MOSFET STH4N150-2AG est de qualité automobile, qualifié AEC-Q101 et disponible dans un boîtier H²PAK-2. Ce dispositif est adapté aux applications haute tension, automobiles, auxiliaires et de commutation.

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-,-- €

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Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,88 €	4,88 €
	3,20 €	32,00 €
	2,36 €	236,00 €
	2,09 €	1.045,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,73 €	1.730,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

STH4N150-2AG

Fab. : STMicroelectronics

Description : MOSFET Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package Complétez votre conception

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