VEMT20xx/VEMT25xx Silizium-NPN-Fototransistoren

Die Silizium-NPN-Fototransistoren VEMT20xx/VEMT25xx von Vishay Semiconductors sind epitaktische planare Silizium-NPN-Fototransistoren in einem oberflächenmontierbaren Miniatur-Gehäuse (SMD) mit Domlinse. Bei VEMT2003X01, VEMT2023X01 und VEMT2023SLX01 ist ein Tageslichtfilter mit IR-Emittern von 830 nm bis 950 nm integriert. Mit dem VEMT2503X01, VEMT2523X01 und VEMT2523SLX01 reagieren sie empfindlich auf sichtbare Strahlung und kurzwellige Infrarotstrahlung.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Maximum-Wellenlänge
Maximaler Dauerkollektorstrom
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Überschlagsspannung Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Dunkelstrom
Anstiegszeit
Abfallzeit
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 470-1090nm +/-15 deg
Datenblatt
10.730Auf Lager
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: 6.000

Phototransistors Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Sideview 470-1090nm +/-35 deg
Datenblatt
33.174Auf Lager
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Min.: 1
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: 3.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 790-970nm +/-35 deg
Datenblatt
8.417Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg
Datenblatt
6.830Auf Lager
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Min.: 1
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: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Side view 790-970nm +/-35 deg
Datenblatt
15.754Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg
Datenblatt
8.580Auf Lager
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: 6.000

Phototransistors Reverse Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg
Datenblatt
1.101Auf Lager
6.000erwartet ab 23.10.2026
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: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100


Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 790-970nm +/-15 deg
Datenblatt
1.684Auf Lager
12.000erwartet ab 23.10.2026
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Min.: 1
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: 6.000

Phototransistors 860 nm 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 470-1090nm +/-35 deg
Datenblatt
2.213Auf Lager
6.000erwartet ab 16.09.2026
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Min.: 1
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: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 790-970nm +/-15 deg
Datenblatt
972Auf Lager
24.000Auf Bestellung
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Min.: 1
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: 6.000

Phototransistors SMD/SMT 860 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Phototransistor in 0805 Package, AEC-Q102 Qualified
Datenblatt
3.000erwartet ab 25.12.2026
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: 3.000

Phototransistors 0805 (2012 metric) SMD/SMT 880 nm 50 mA 20 V 20 V 0.11 V 0.3 nA 57 us 99 us - 40 C + 125 C VEMT4010X02
Vishay Semiconductors Fototransistoren Phototransistor in 0805 Package, AEC-Q102 Qualified
Datenblatt
3.000erwartet ab 25.12.2026
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Min.: 1
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: 3.000

Phototransistors 0805 (2012 metric) SMD/SMT 890 nm 50 mA 20 V 20 V 0.11 V 0.2 nA 57 us 99 us - 40 C + 125 C VEMT4110X02