NCP5892 GaN-Leistungsschalter mit Erweiterungsmodus

Der onsemi NCP5892 GaN-Leistungsschalter mit Erweiterungsmodus integriert einen leistungsstarken Hochfrequenz-Silizium(Si)-Treiber und 650-V-Gallium-Nitrid(GaN)-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) in einer einzigen Schalterstruktur. Die leistungsstarke Kombination aus dem Si-Treiber und dem GaN-HEMT-Leistungsschalter bietet eine bessere Leistung als die diskrete Lösung aus GaN-HEMT und externem Treiber. Die integrierte Implementierung des NCP5892 von Onsemi reduziert die parasitären Effekte der Schaltung und des Gehäuses erheblich und ermöglicht gleichzeitig ein kompakteres Design.

Ergebnisse: 3
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onsemi GaN FETs SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2.975erwartet ab 06.11.2026
Cut-Tape
16,11 €
11,52 €
11,45 €
10,03 €
Reel
10,03 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3.000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN
onsemi GaN FETs SINGLE CHANNEL INTEGRATED
3.000erwartet ab 09.11.2026
Cut-Tape
11,27 €
7,85 €
6,37 €
6,32 €
Reel
6,32 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3.000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN
onsemi GaN FETs SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2.975erwartet ab 09.11.2026
Cut-Tape
8,35 €
5,72 €
4,34 €
4,27 €
Reel
4,27 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3.000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN