DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BVDSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.

Resultaten: 10
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype Verpakking / doos Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus
Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 20In voorraad
27,83 €
18,75 €
17,13 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 17In voorraad
27,83 €
18,75 €
17,37 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 20In voorraad
32,90 €
22,69 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 31In voorraad
16,59 €
9,98 €
9,37 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole To-247-3 1 Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 78In voorraad
10,78 €
6,11 €
5,66 €
5,50 €
5,27 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 170 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 60In voorraad
13,30 €
7,66 €
7,12 €
7,08 €
6,88 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 88In voorraad
10,78 €
6,11 €
5,50 €
4,93 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 60In voorraad
13,30 €
7,66 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS 100Af fabriek verkrijgbaar
8,85 €
5,81 €
4,91 €
4,68 €
Min.: 1
Veelv.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET's SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Niet in voorraad levertijd 52 weken
33,23 €
21,74 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement