600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Configuratie
If - Voorwaartse stroom
Vrrm - Periodieke sperspanning
Vf - Voorwaartse spanning
Ifsm - Voorwaartse piekstroom
Ir - Keerstroom
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
STMicroelectronics SiC Schottkydiodes 600 V Power Schottky Diode
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 52 weken
0,98 €
Min.: 1.000
Veelv.: 1.000
Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics SiC Schottkydiodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 25 weken
Spoel
1,93 €
Min.: 1.000
Veelv.: 1.000
: 1.000
Through Hole D2PAK Single 8 A 600 V 1.7 V 30 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel