OptiMOS™ 6 150-V-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150-V-Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch einen branchenführenden niedrigen R_DS(on), eine verbesserte Schaltleistung und ein ausgezeichnetes EMI-Verhalten aus, was zu einer beispiellosen Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit beiträgt. Die OptiMOS 6-Technologie bietet erhebliche Verbesserungen gegenüber ihrem Vorgänger OptiMOS 5, wie z. B. einen bis zu 41 % niedrigeren R_DS(on), eine 20 % niedrigere FOM_g und eine 17 % niedrigere FOM_gd. Darüber hinaus zeichnen sich diese MOSFETs durch eine hohe Avalanche-Robustheit und eine maximale Sperrschichttemperatur von +175 °C aus, wodurch ein robuster und stabiler Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet wird. Mit einem breiten Gehäuseportfolio sind die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 150 V von Infineon darauf ausgelegt, die strengen Anforderungen von Applikationen mit sowohl hohen als auch niedrigen Schaltfrequenzen zu erfüllen, und bieten eine verbesserte Systemzuverlässigkeit und eine längere Lebensdauer.