NVBG022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are 1200V M3S planar SiC MOSFETs optimized for fast switching applications. The onsemi NVBG022N120M3S features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works with 15V gate drives. Typical applications for these MOSFETs include onboard chargers (OBC) and DC/DC converters for electric vehicles (EVs) and hybrid EVs (HEVs).

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype Verpakking / doos Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus Handelsnaam
onsemi SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM M3S 1200V 800In voorraad
Gesneden tape
24,92 €
17,48 €
Spoel
17,48 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 100 A 30 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 142 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 124In voorraad
Gesneden tape
18,07 €
11,62 €
11,17 €
Spoel
11,00 €
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 49 A 40.5 mOhms - 8 V, + 22 V 3.22 V 74.5 nC - 55 C + 175 C 297 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V 1.487In voorraad
Gesneden tape
22,81 €
17,48 €
16,70 €
16,56 €
Spoel
16,56 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 20 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC