NXH450B100H4Q2 Si/SiC hybride modules
onsemi NXH450B100H4Q2 Si/SiC hybride modules bevatten twee 1000 V, 150 A IGBT's, twee 1200 V, 30 A SiC diodes en twee 1600 V 30 A bypass diodes en een NTC thermistor. Deze Si/SiC hybride modules bieden een systeem met een laag schakelverlies en beperkt vermogensverlies, een lage inductieve lay-out, drukbevestiging en soldeerpenopties. De hybride NXH450B100H4Q2-modules bieden een bereik voor opslagtemperatuur van -40°C t/m 125°C en voor bedrijfstemperatuur van -40°C t/m 125°C onder schakelcondities. Deze Si/SiC hybride modules zijn ideaal voor gebruik in omvormers voor zonne-energie en niet-onderbreekbare voedingen.
