NXH450B100H4Q2 Si/SiC hybride modules

onsemi NXH450B100H4Q2 Si/SiC hybride modules bevatten twee 1000 V, 150 A IGBT's, twee 1200 V, 30 A SiC diodes en twee 1600 V 30 A bypass diodes en een NTC thermistor. Deze Si/SiC hybride modules bieden een systeem met een laag schakelverlies en beperkt vermogensverlies, een lage inductieve lay-out, drukbevestiging en soldeerpenopties. De hybride NXH450B100H4Q2-modules bieden een bereik voor opslagtemperatuur van -40°C t/m 125°C en voor bedrijfstemperatuur van -40°C t/m 125°C onder schakelcondities. Deze Si/SiC hybride modules zijn ideaal voor gebruik in omvormers voor zonne-energie en niet-onderbreekbare voedingen.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Product Configuratie Collector-emitterspanning VCEO max. Collector-emitterverzadigingsspanning Doorlopende voedingsverzamelaar op 25° Gate-emitterlekstroom Pd - Vermogensverlies Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Technologie Verpakken
onsemi NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT-modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS 36In voorraad
141,10 €
129,77 €
Min.: 1
Veelv.: 1
SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Si Tray
onsemi NXH450B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT-modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS 36In voorraad
132,13 €
129,50 €
Min.: 1
Veelv.: 1
SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Si Tray