QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Maximale werkingsfrequentie Minimale werkingsfrequentie Technologie
Qorvo GaN FET's 30W, DC - 6GHz, Flanged 76In voorraad
Gesneden tape
378,59 €
333,12 €
299,37 €
Spoel
299,37 €
Min.: 1
Veelv.: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FET's 30W, DC - 6GHz 43In voorraad
Gesneden tape
414,20 €
366,42 €
299,37 €
Spoel
299,37 €
Min.: 1
Veelv.: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN