1200 V PIM-3-Phasen-Eingangsgleichrichter

Die 1200 V PIM-3-Phasen Eingangsgleichrichter von Infineon Technologies sind EconoPIM™ 2 1200 V, 100 A dreiphasige PIM IGBT-Module. Die Gleichrichter sind mit TRENCHSTOP™ IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC ausgestattet. Die PIM (Power Integrated Modules) mit der Integration von Gleichrichter und Bremschopper ermöglichen Systemkosteneinsparungen. 

Ergebnisse: 7
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Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module 28Auf Lager
58,05 €
55,65 €
47,68 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT-Module LOW POWER ECONO Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
82,59 €
74,07 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A PIM IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
63,44 €
53,87 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A PIM IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
75,45 €
61,21 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
47,68 €
Min.: 15
Mult.: 15
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A PIM IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
56,88 €
53,11 €
Min.: 15
Mult.: 15
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A PIM IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
64,64 €
60,35 €
Min.: 15
Mult.: 15
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray