MDmesh DK5 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETs are very-high voltage fast recovery diodes with a 950V to 1050V breakdown voltage. The DK5 has a very low gate charge, as low as 45nC, and a reverse recovery time (trr) of 250ns (typ.). This makes the MDmesh DK5 ideal for ZVS LLC resonant converters in high-power applications. These applications include industrial welders, plasma generators, high-frequency induction melting/heating, and X-ray machines.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Technologie Montagetype Verpakking / doos Polariteit transistor Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus Handelsnaam Verpakken

STMicroelectronics MOSFET's N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag 672In voorraad
14,05 €
7,98 €
7,96 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET's N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa 77In voorraad
600Verwacht 27/11/2026
25,17 €
16,76 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET's N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
1.200Verwacht 13/08/2027
15,03 €
8,55 €
8,06 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube