MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs aus. Darüber hinaus bieten diese MOSFETs einen maximalen Leistungsverlust von 208 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 51 A (Tc = 25 °C). Die MXP075 MaxSiC 750-V-n-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind halogenfrei und in einem TO-247AD-4L-Gehäuse untergebracht. Diese MOSFETs werden von Benutzern in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern verwendet.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 14.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 14.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement