NTH4L022N120M3S Siliciumcarbide (SiC) MOSFET's

Onsemi NTH4L022N120M3S Siliciumcarbide (SiC) MOSFET's zijn een familie van 1200 V M3S planaire SiC MOSFET's. De onsemi NTH4L022N120M3S is geoptimaliseerd voor snel schakelende toepassingen. De planaire technologie werkt betrouwbaar met negatieve poortspanningsaandrijvingen en schakelt pieken in de poort uit. Deze MOSFET's leveren optimale prestaties bij aansturing met een 18 V poort aandrijving, maar werkt ook goed met een 15 V poortaandrijving.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype Verpakking / doos Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus Handelsnaam

onsemi SiC MOSFET's DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM 219In voorraad
450Verwacht 2/02/2028
28,71 €
20,87 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET's SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V 405In voorraad
900Verwacht 1/03/2028
18,71 €
13,98 €
12,08 €
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC