NTH4L022N120M3S Siliciumcarbide (SiC) MOSFET's
Onsemi NTH4L022N120M3S Siliciumcarbide (SiC) MOSFET's zijn een familie van 1200 V M3S planaire SiC MOSFET's. De onsemi NTH4L022N120M3S is geoptimaliseerd voor snel schakelende toepassingen. De planaire technologie werkt betrouwbaar met negatieve poortspanningsaandrijvingen en schakelt pieken in de poort uit. Deze MOSFET's leveren optimale prestaties bij aansturing met een 18 V poort aandrijving, maar werkt ook goed met een 15 V poortaandrijving.
