MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4

Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4 d'IXYS sont des composants à mode d'amélioration à canal N avec un RDS(on)de 10,6 mΩ, 13 mΩ ou 21 mΩ et une tension drain-source maximale de 200 V. Les MOSFET IXT sont disponibles en boîtiers standard TO-220, TO-247, TO-263, ou TO-268 classés avalanche avec une densité de puissance élevée. Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4 IXYS sont idéaux pour une utilisation dans les alimentations à découpage et à résonance.

Résultats: 9
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS 2.004En stock
13,67 €
8,01 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 268En stock
11,52 €
6,54 €
6,07 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET 499En stock
12,17 €
6,95 €
6,52 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET 329En stock
13,38 €
7,56 €
7,37 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS 719En stock
15,04 €
10,14 €
8,67 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X4CLASS 1.166En stock
21,04 €
12,41 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
62007-06-27 attendu
15,76 €
10,69 €
8,67 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 94A N-CH X4CLASS Délai de livraison produit non stocké 30 Semaines
14,85 €
11,31 €
9,42 €
7,96 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS Délai de livraison produit non stocké 36 Semaines
14,34 €
10,92 €
9,10 €
8,01 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube