Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 43.11 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NVXK2TR80WDT

Fabrikantnr:

NVXK2TR80WDT

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

MOSFET-modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Levenscyclus:

Speciale fabrieksorder:

Vraag een offerte aan om de huidige prijs, levertijd en bestelvoorwaarden van de fabrikant te raadplegen.

Gegevensblad:

NVXK2TR80WDT Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NVXK2TR80WDT

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	MOSFET-modules
RoHS:
Technologie:	SiC
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	APM-32
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	4 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	1.2 kV
Id - Continue afvoerstroom:	20 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	116 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4.3 V
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 40 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	82 W
Reeks:	NVXK2TR80WDT
Verpakken:	Tube
Merk:	onsemi
Configuratie:	Dual Half-Bridge
Daaltijd:	9 ns
Hoogte:	5.8 mm
Lengte:	44.2 mm
Producttype:	MOSFET Modules
Stijgtijd:	12 ns
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	60
Subcategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsnaam:	EliteSiC
Type:	Half-Bridge
Typische inschakelvertragingstijd:	12 ns
Breedte:	29 mm

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NVXK2TR80WDT Gegevensblad (PDF)

Material Composition Disclosure

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: China
Land van herkomst van de assemblage:: China
Land van diffusie:: Republiek Korea

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI

NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.

Meer informatie

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

Features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package.

Meer informatie

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

Contains 8mΩ, 10mΩ, 15mΩ, and 30mΩ/1200V M3S MOSFETs based on half-bridge topology.

Meer informatie

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

Part of VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power modules for EV/HEV traction inverter applications.

Meer informatie

NXV08H350XT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

Meer informatie

In voorraad: 48

Voorraad:: 48 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 45 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Op hoeveelheden boven 48 zijn minimale bestelhoeveelheden van toepassing.

Voor dit product wordt een lange levertijd vermeld.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

-,-- €

Ext. Prijs:

-,-- €

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	43,11 €	43,11 €
	33,18 €	331,80 €
120	Offerte

NVXK2TR80WDT

Delen

Fabrikant: onsemi

Omschrijving: MOSFET-modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Specificaties

Documenten (1)

Gegevensblad

Milieudocumenten

Product- en handelsconformiteit

Meer informatie

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

Andere klanten kochten ook

UITGELICHTE PRODUCTEN ONSEMI

In voorraad: 48

Prijsbepaling (EUR)

Snelle weergave

Er is een onverwachte fout opgetreden.

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

MOSFET-modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

UITGELICHTE PRODUCTEN

ONSEMI