APML-600JV/JT Foto-MOSFETs

Broadcom APML-600JV/JT Foto-MOSFETs sind Hochspannungs-Foto-MOSFETs, die für Fahrzeuganwendungen ausgelegt sind. Diese MOSFETs  bestehen aus einer AlGaAs-Infrarot-Leuchtdioden-Eingangsstufe (LED), die optisch mit einer Hochspannungsausgangs-Detektorschaltung gekoppelt ist.  Dieser Detektor besteht aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Diodenarray und einer Treiberschaltung zum Ein-/Ausschalten von zwei diskreten Hochspannungs-MOSFETs.  Der APML-600JV/JT Foto-MOSFET schaltet sich ein (Kontakt schließt) mit einem minimalen Eingangsstrom von 1,5 mA über die Eingangs-LED. Der Foto-MOSFET schaltet sich aus (Kontakt öffnet) mit einer Eingangsspannung von 0,4 V oder weniger. Die APML-600JV/JT MOSFETs verfügen über einen kompakten bidirektionalen Halbleiter-Signalschalter und sind AEC-Q101-qualifiziert. Die APML-600JV/JT MOSFETs bieten eine verstärkte Isolierung und Zuverlässigkeit, um eine sichere Signalisolierung in Fahrzeuganwendungen und Hochtemperatur-Industrieapplikationen zu liefern. Idealerweise werden diese MOSFETs in der Batterieisolierwiderstandsmessung/Leckerkennung und Batteriemanagementsystemen (BMS) verwendet.