MOSFET-modules – Mouser België

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultaten: 8

Toegepaste filters:

Verpakking / doos

Vds - Doorslagspanning van druppelbron

Id - Continue afvoerstroom

Rds On - Druppelbronweerstand

Minimale bedrijfstemperatuur

Maximale bedrijfstemperatuur

Alle resetten

In resultaten zoeken

In voorraad

Gewoonlijk op voorraad

Actief

Nieuwe producten

RoHS-conformiteit

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Afbeelding	Onderdeelnummer	Fabrikant	Omschrijving	Gegevensblad	Beschikbaarheid	Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.	Hvh.	Verpakking / doos	Vds - Doorslagspanning van druppelbron	Id - Continue afvoerstroom	Rds On - Druppelbronweerstand	Minimale bedrijfstemperatuur	Maximale bedrijfstemperatuur	Reeks	Verpakken
MOSFET-modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H06MT23GB2 GeneSiC Semiconductor 48: 285,21 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H06MT23GB2 Mouser-onderdeelnr. 905-G4H06MT23GB2 Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niet in voorraad levertijd 26 weken	285,21 €	Min.: 48 Veelv.: 48		2.3 kV	296 A				N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET-modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H06MT23GB2-T GeneSiC Semiconductor 48: 292,09 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H06MT23GB2-T Mouser-onderdeelnr. 905-G4H06MT23GB2-T Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niet in voorraad levertijd 26 weken	292,09 €	Min.: 48 Veelv.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET-modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 413,56 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H08MT23GB4 Mouser-onderdeelnr. 905-G4H08MT23GB4 Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	Gegevensblad	Niet in voorraad levertijd 26 weken	413,56 €	Min.: 48 Veelv.: 48	SiCPAK G+	2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET-modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H08MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 420,44 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H08MT23GB4-T Mouser-onderdeelnr. 905-G4H08MT23GB4-T Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	Gegevensblad	Niet in voorraad levertijd 26 weken	420,44 €	Min.: 48 Veelv.: 48		2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET-modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4 G4H11MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 287,69 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H11MT23GB4 Mouser-onderdeelnr. 905-G4H11MT23GB4 Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niet in voorraad levertijd 26 weken	287,69 €	Min.: 48 Veelv.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET-modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T G4H11MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 294,57 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H11MT23GB4-T Mouser-onderdeelnr. 905-G4H11MT23GB4-T Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niet in voorraad levertijd 26 weken	294,57 €	Min.: 48 Veelv.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET-modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4 G4H22MT33GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 399,57 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H22MT33GB4 Mouser-onderdeelnr. 905-G4H22MT33GB4 Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niet in voorraad levertijd 26 weken	399,57 €	Min.: 48 Veelv.: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET-modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T G4H22MT33GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 406,45 € Niet in voorraad levertijd 26 weken Nieuw product	Fabrikant- onderdeelnr. G4H22MT33GB4-T Mouser-onderdeelnr. 905-G4H22MT33GB4-T Nieuw product	GeneSiC Semiconductor	MOSFET-modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Meer informatie over GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niet in voorraad levertijd 26 weken	406,45 €	Min.: 48 Veelv.: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Toegepaste filters:

Afdeling Klantenservice

Bedrijf

Ondersteuningsmateriaal

Ondersteuning

Delen

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Toegepaste filters: