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IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BL100B1LIT
Price: 3.77 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

870-WVH8M8BL100B1LIT

N° de fab. :

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Fiche technique:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	HyperRAM
Package/Boîte:	FBGA-24
Série:	IS66WVH8M8BLL
Conditionnement:	Reel
Marque:	ISSI
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	HyperRAM

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Fiche technique

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ISSI

LPDDR4 & LPDDR4X Mobile SDRAM

Low-voltage memory devices, available in 2Gb, 4Gb, and 8Gb densities, ideal for mobile applications.

DDR4 DRAM

High-speed DRAM devices internally organized with an eight-bank setup.

DDR3 SDRAM

Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

Disponibilité

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Délai usine :: 18 Semaines Délai de production estimé en usine.

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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Conditionnement:

Disponibilité:

En stock

Prix:

5,76 €

Min.:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Fab. : ISSI

Description : DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

PRODUITS PRÉSENTÉS ISSI

Disponibilité

Prix (EUR)

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Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

PRODUITS PRÉSENTÉS

ISSI