TO-3P-3 Semiconducteurs discrets

Types de Semiconducteurs discrets
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Fiche technique
357En stock
30024-02-27 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
Fiche technique
263En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Fiche technique
2.641En stock
3.60014-12-26 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Fiche technique
2.254En stock
2.82515-01-27 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 150W
Fiche technique
1.303En stock
1.35025-08-26 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 150W
Fiche technique
2.623En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 200W TO-3P PNP
Fiche technique
6.270En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 120

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 200W PNP
Fiche technique
817En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 200W NPN
Fiche technique
937En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Fiche technique
309En stock
62516-10-26 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Fiche technique
234En stock
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBTs 600V/30A DIS
Fiche technique
134En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt
Fiche technique
76En stock
4.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt
Fiche technique
59En stock
3.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 120 Amps 300V
Fiche technique
28En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 60 Amps 200V
Fiche technique
8En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 60 Amps 300V
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 60 Amps 400V
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
Fiche technique
69En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
Fiche technique
220En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
Fiche technique
34En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
Fiche technique
117En stock
30010-08-26 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
Fiche technique
358En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
Fiche technique
130En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
Fiche technique
184En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3