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Littelfuse Sicherungshalter Modular Fuse Block Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Analog Devices Digital-in-Analog-Wandler - DAC IC, MONO 12-BIT D/A CONV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Analog Devices Digital-in-Analog-Wandler - DAC IC, MONO 12-BIT D/A CONV
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Analog Devices Analog-in-Digital-Wandler - ADC 14-B, 80Msps L N ADC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Texas Instruments Analog-in-Digital-Wandler - ADC 12-bit dual 2.7-GSP S or single 5.4-GSPS A 595-ADC12DJ2700ZEGT
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 168
Mult.: 168
Nein
Texas Instruments Analog-in-Digital-Wandler - ADC 12-bit dual 2.7-GSP S or single 5.4-GSPS A 595-ADC12DJ2700ZEG
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
Nein
Renesas Electronics SRAM 64K X 8K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 48
Mult.: 6
Nein
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
Nein
Skyworks Solutions, Inc. SI8640ED-B-YSR
Skyworks Solutions, Inc. Digitale Isolatoren 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1.250
Mult.: 1.250
: 1.250

Skyworks Solutions, Inc. SI8640ED-B-YS
Skyworks Solutions, Inc. Digitale Isolatoren 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135


ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,256K x 16,45ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000