CoolSIC SiC MOSFET

Résultats: 5
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package 1.652En stock
72006-01-27 attendu
39,92 €
29,42 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package 2.329En stock
22,77 €
18,24 €
15,77 €
14,92 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package 1.206En stock
19,29 €
14,41 €
12,46 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
5.90702-09-27 attendu
78,60 €
64,95 €
58,51 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
3.859Sur commande
16,21 €
12,11 €
10,47 €
9,91 €
9,25 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC