400 kHz EEPROM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Schnittstellen-Typ Maximale Taktfrequenz Organisation Verpackung/Gehäuse Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Montageart Datenspeicherung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Qualifikation Verpackung

Microchip Technology EEPROM 2.5V Dual Mode Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 PDIP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 24LCS21 Tube

Microchip Technology EEPROM 2.5V Dual Mode Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 PDIP-8 3.5 us 2.5 V 5.5 V Through Hole 200 Year 0 C + 70 C 24LCS21 Tube
Microchip Technology EEPROM 2.5V Dual Mode Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 SOIC-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C 24LCS21 Reel
Microchip Technology EEPROM 2.5V Dual Mode Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 SOIC-8 3.5 us 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C 24LCS21 Reel

Microchip Technology EEPROM 256x8 - 2.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 PDIP-8 900 ns 2.2 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM 256x8 - 2.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 2.2 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 256x8 - 2.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 SOIC-8 900 ns 2.2 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel

Microchip Technology EEPROM 256x8 - 2.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 2.2 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 MSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 PDIP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V Through Hole 200 Year - 20 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 MSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 PDIP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V Through Hole 200 Year - 20 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TDFN-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 MSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 SOIC-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Reel

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 MSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 SOIC-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Reel

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 MSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C 24VL024 Tube

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 PDIP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V Through Hole 200 Year - 20 C + 85 C 24VL024 Tube

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 1.5V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C 24VL024 Tube

Microchip Technology EEPROM 2K 256X8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V SMD/SMT 200 Year - 20 C + 85 C 24VL024 Reel