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Types de Semi-conducteurs

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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter

08-20-2026

- Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07-21-2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04-10-2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03-17-2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C

12-11-2025

- Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB

11-24-2025

- L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.

ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C

11-18-2025

- Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.

ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM

11-18-2025

- Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

11-18-2025

- Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

11-18-2025

- Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.

ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM

11-03-2025

- Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10-17-2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10-16-2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z

09-26-2025

- Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003

08-27-2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003

08-27-2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08-21-2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08-21-2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08-21-2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08-21-2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08-21-2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08-20-2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5

08-19-2025

- Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08-19-2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08-19-2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

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Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)

08-25-2026

- These devices are high-performance storage solutions built on the PCIe Gen 4x4 NVMe 1.4 interface.

NXP Semiconductors KITFS0400SKTEVM Evaluation Board

08-25-2026

- Socketed FS04 evaluation board with FRDM-KL25Z bridge and OTP programming support.

Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board

08-25-2026

- Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.

NXP Semiconductors KITFS0400A0EVM Evaluation Board

08-25-2026

- Soldered FS04 evaluation board with PF53 PMICs, FRDM-KL25Z bridge, and NXP GUI support.

Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board

08-25-2026

- Multimedia development board for smart audio and HMI applications.

NXP Semiconductors FRDM-A-S32K358 Development Board

08-25-2026

- For general-purpose industrial and automotive applications built around the S32K358 MCU.

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate Drivers

08-25-2026

- Designed to enable gallium nitride (GaN) and silicon (Si) power designs on the same PCB.

Toshiba DCL32xx00 Low Power Dual Channel Digital Isolators

08-24-2026

- These devices comply with UL 1577 and have a 3000Vrms withstand-isolation-voltage rating.

Texas Instruments ISOTMP35R/-Q1 Analog Temperature Sensors

08-24-2026

- Reinforced isolated analog temperature sensors with fast thermal response.

Toshiba TCKE1401NM 75V 6A eFuse IC

08-24-2026

- A high-input voltage single-input single-output eFuse IC that can be used as a reusable fuse.

ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter

08-20-2026

- Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.

Infineon Technologies Capteurs d'angle magnétiquee XENSIV™ TLE49012 / TLI49012

08-20-2026

- Capteurs d’angle numériques de haute précision avec une latence ultra-faible et des capacités axiales et non axiales.

Renesas Electronics PTX205R NFC Controller

08-20-2026

- Highly integrated, mid-power NFC controller for NFC Forum applications.

Power Integrations RDK-994Q Reference Design Kit

08-19-2026

- 35W ultra-low-profile traction inverter gate-drive or emergency power supply.

Toshiba TXZ+™ TMPM4L Arm® Cortex®-M4 MCUs

08-19-2026

- Integrates dedicated hardware and security functions for single-motor control applications.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08-19-2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

STMicroelectronics IPS1270H Single-Channel High-Side Switch

08-19-2026

- Monolithic device intended for driving any load with one side connected to ground.

Vishay Pilote MOSFET optiquement isolé VOM1272

08-18-2026

- Pilote MOSFET photovoltaïque autonome, doté d'une coupure rapide et d'une capacité d'isolation améliorée.

Nordic Semiconductor nRF93M1 Development Kit (DK)

08-17-2026

- Provides a fast way to evaluate and build on the nRF93M1 module.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08-17-2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

M5Stack Capsule v1.1

08-17-2026

- Iterative upgrade of capsule, with the core upgrade being the replacement of the main controller.

M5Stack AddOn Display Out Module for PoE-P4

08-17-2026

- Display output expansion module designed for Unit PoE-P4, based on the LT8912B chip.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08-17-2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor LDI1117-3.3H-AQ Low-Dropout Voltage Regulator

08-17-2026

- Operates at a low dropout voltage of 1.2V at 1A output current and a fixed voltage of 3.3V.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08-14-2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

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