Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07-20-2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07-20-2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02-02-2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01-20-2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10-08-2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

09-19-2025

- Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V

08-27-2025

- Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.

IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen

04-14-2025

- Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.

IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden

04-03-2025

- Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.

IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul

03-25-2025

- Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03-17-2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET

03-06-2025

- Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET

03-06-2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET

02-27-2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

02-27-2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

02-18-2025

- Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

02-18-2025

- Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs

11-28-2024

- Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.

IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden

11-22-2024

- Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.

IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.

07-25-2024

- Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.

IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter

07-22-2024

- Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.

IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode

07-08-2024

- Eine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).

IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR

02-19-2024

- Ein 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.

IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule

01-18-2024

- Verfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.

IXYS MPA 95-06DA FRED-Module

01-18-2024

- Verfügen über planar passivierte chips und geringe Schaltverluste für Hochfrequenz-Schaltbauteile.

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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07-21-2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07-20-2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07-20-2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07-08-2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

07-07-2026

- ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.

Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode

06-30-2026

- Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06-29-2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität

06-26-2026

- Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.

Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays

06-26-2026

- TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.

Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS-Dioden

06-25-2026

- Bieten Sie eine Auswahl an Spannungsoptionen von 3 V bis 36 V in einer bidirektionalen Bauform an.

Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode

06-22-2026

- Bauteil mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differentialleitungen konzipiert ist.

Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

06-19-2026

- Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06-18-2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module

06-12-2026

- Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05-27-2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05-18-2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage

05-12-2026

- Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen

05-06-2026

- Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05-04-2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05-04-2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05-04-2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

RECOM Power ICs, Transformatoren und diskrete Lösungen

04-24-2026

- Enthält Bauelemente, die hervorragend für Applikationen in den Bereichen Energie, Industrie und Medizin geeignet sind.

Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für Hochtemperaturanwendungen

04-24-2026

- Das Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen

04-24-2026

- -Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04-16-2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

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