Les plus récent(e)s MOSFET – Mouser Belgique

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STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03-31-2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07-22-2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12-01-2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

10-01-2023

- Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

08-18-2023

- Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

05-08-2023

- Le composant utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

01-25-2023

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension disposant d'une protection Zener et d'une avalanche 100 %.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6

10-19-2022

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime.

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onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07-30-2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07-21-2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05-27-2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05-18-2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04-14-2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04-07-2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04-06-2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03-31-2026

- Idéal pour la commutation à haute vitesse, les commutateurs de gestion de l’alimentation les convertisseurs CC-CC et les pilotes de moteurs.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03-31-2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03-27-2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03-27-2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03-24-2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03-17-2026

- Il s’agit de MOSFET de puissance à canal N, de niveau normal 80 V ou 100 V avec une résistance de conduction très faible [RDS(ON)].

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03-13-2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03-06-2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03-05-2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02-19-2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02-02-2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12-26-2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12-23-2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12-19-2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

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