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= Wolfspeed
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Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs
04-17-2025
04-17-2025
Bieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation.
Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil
07-03-2024
07-03-2024
Bieten einen hohen Systemwirkungsgrad, reduzieren Schaltverluste und minimieren das Gate-Schwingen.
Wolfspeed 750 V Diskrete Siliziumkarbid-MOSFETs
05-27-2024
05-27-2024
Ermöglichen eine hohe Systemleistungsdichte mit einem Design mit niedrigem Profil in Industriestandard-Gehäusen.
Wolfspeed C3M™-SiC-MOSFETs im TOLL-Gehäuse
10-18-2022
10-18-2022
Bieten eine wesentlich geringere Durchlasswiderstandstemperatur-Abhängigkeit als Standard-Silizium-MOSFETs.
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Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
06-19-2026
06-19-2026
Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06-18-2026
06-18-2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
12-19-2025
12-19-2025
Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
12-04-2025
12-04-2025
Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.
Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)
11-20-2025
11-20-2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10-17-2025
10-17-2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs
10-09-2025
10-09-2025
Verbessertes Betriebsverhalten, erhöhte Leistungsdichte und gesteigerte Zuverlässigkeit.
Microchip Technology 1200 V SIC-MOSFETs
09-25-2025
09-25-2025
Die MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad in einer leichteren, kompakteren Lösung mit schnellen Schaltgeschwindigkeiten.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09-19-2025
09-19-2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08-27-2025
08-27-2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08-21-2025
08-21-2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
onsemi NXVF6532M3TG01 EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET mit 650 V
08-08-2025
08-08-2025
Die Bauteile bieten einen überlegenen Wirkungsgrad, schnelles Schalten und robustes Betriebsverhalten.
ROHM Semiconductor SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs
07-14-2025
07-14-2025
Verfügen über 1.200 VDS, einen niedrigen On-Widerstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine schnelle Recoveryzeit.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06-23-2025
06-23-2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
06-03-2025
06-03-2025
Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
05-22-2025
05-22-2025
Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05-06-2025
05-06-2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs
04-17-2025
04-17-2025
Bieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03-06-2025
03-06-2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03-06-2025
03-06-2025
Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.
onsemi NTBL032N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
02-20-2025
02-20-2025
Für schnelle Schaltapplikationen ausgelegt, die eine zuverlässige Leistung bieten.
onsemi NVH4L050N170M1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
02-20-2025
02-20-2025
Liefern eine außergewöhnliche Leistung mit einem typischen RDS(on) von 53 mΩ bei VGS = 20 V.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02-18-2025
02-18-2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02-18-2025
02-18-2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02-18-2025
02-18-2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
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