Neueste MOSFETs – Mouser Belgien

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Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03-31-2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10-17-2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

10-14-2024

- Untergebracht im L-TOGL™ Gehäuse, um der wachsenden Nachfrage nach 48 V Batterien in Fahrzeugen gerecht zu werden.

Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09-13-2024

- Erhältlich in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale.

Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09-10-2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

08-12-2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generations-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs

05-13-2024

- Ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber.

Toshiba SSM14N956L MOSFET

06-09-2023

- Verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-On-Widerstand und ist RoHS-kompatibel.

Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

02-13-2023

- Bietet RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch) und Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V, mit einer Fähigkeit von 400 A.

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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05-27-2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05-18-2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04-14-2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04-07-2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04-06-2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03-31-2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03-31-2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03-27-2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03-27-2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03-24-2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

03-17-2026

- Dies sind N-Kanal-MOSFETs mit Normalpegel und einer Nennspannung von 80 V oder 100 V sowie einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(ON)].

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03-13-2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03-06-2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03-05-2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02-19-2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02-02-2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12-26-2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12-23-2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12-19-2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11-25-2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11-25-2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

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