ART LDMOS RF Power Transistors

Ampleon Advanced Rugged Technology (ART) LDMOS RF Power Transistors are designed to cover a wide range of applications for ISM, broadcast, and communications. These power transistors feature dual-sided ESD protection, enabling class C operation and complete switch-off. The ART LDMOS RF power transistors offer high efficiency, excellent thermal stability, and excellent ruggedness with no device degradation. These power transistors feature nominal output powers of 35W and 2500W. The ART LDMOS RF power transistors are ideal for industrial, scientific, medical, broadcast, and radar applications.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Polariteit transistor Technologie Vds - Doorslagspanning van druppelbron Rds On - Druppelbronweerstand Werkingsfrequentie Versterking Uitgangsvermogen Maximale bedrijfstemperatuur Montagetype Verpakking / doos Verpakken


Ampleon RF MOSFET-transistors ART35FE/SOT467C/TRAY 226In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon RF MOSFET-transistors ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R Niet in voorraad levertijd 16 weken
Min.: 100
Veelv.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 75 V 106 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28..5 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 Reel