DC-DC Power Module MOSFET

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
67En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
132En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
288Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 33 Semaines
Min. : 72
Mult. : 72

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube