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Microchip Technology MOSFET SIC 1 200 V

Les MOSFET SIC 1 200 V de Microchip Technology offrent une haute efficacité dans une solution plus légère et plus compacte. Les dispositifs fournissent une faible résistance de grille interne (ESR), ce qui se traduit par un retard de commutation faible. Les MOSFET sont simples à actionner et faciles à mettre en parallèle, avec des capacités thermiques améliorées et des pertes de commutation réduites.

Les MOSFET SIC 1 200 V de Microchip éliminent le besoin d'une diode roue libre externe et offrent une robustesse avalanche supérieure dans une diode de corps rapide et fiable.

The TO-247-4 Notch package enables efficient, high-power designs with improved thermal performance and reduced parasitic effects. Its four-lead layout includes a Kelvin source to reduce gate ringing and switching losses, while the Notch design enhances creepage distance for improved high-voltage reliability.

The QDPAK package is a compact, surface-mount, top-side cooled solution designed to maximize the performance advantages of silicon carbide devices in high-power applications. It enables a direct thermal path from the device to an external heatsink, decoupling heat dissipation from the PCB and improving thermal performance, power density, and layout flexibility. The package also reduces parasitic inductance, supports fast switching, and simplifies automated assembly, while its emerging industry‑standard footprint allows scalable, multi-source designs and reduced system complexity.

Caractéristiques

  • Faibles capacités et faible charge de grille
  • Retard de commutation faible grâce à une faible résistance de grille interne (ESR)
  • Exploitation stable à haute température de jonction, TJ(max) = 175 °C
  • Diode de corps rapide et fiable
  • Robustesse avalanche supérieure (100 % de la production UIS testée)
  • Ligne de fuite (std >8 mm)

Applications

  • Convertisseur photovoltaïque (PV), convertisseur et entraînements à moteur industriels
  • Transmission et distribution dans le réseau intelligent
  • Chauffage et soudage par induction
  • Groupe motopropulseur de véhicule électrique hybride (HEV) et chargeur de véhicule électrique (VE)
  • Alimentation électrique et distribution

Application standard

Schéma du circuit d'application - Microchip Technology MOSFET SIC 1 200 V
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Numéro de pièce Fiche technique Rds On - Résistance drain-source Id - Courant continu de fuite
MSC020SMB120B4N MSC020SMB120B4N Fiche technique 24 mOhms 97 A
MSC025SMB120B4N MSC025SMB120B4N Fiche technique 33 mOhms 81 A
MSC030SMB120B4N MSC030SMB120B4N Fiche technique 40 mOhms 69 A
MSC040SMB120B4N MSC040SMB120B4N Fiche technique 53 mOhms 54 A
MSC045SMB120B4N MSC045SMB120B4N Fiche technique 60 mOhms 49 A
MSC060SMB120B4N MSC060SMB120B4N Fiche technique 80 mOhms 38 A
MSC080SMB120B4N MSC080SMB120B4N Fiche technique 107 mOhms 30 A
MSC025SMB120Q MSC025SMB120Q Fiche technique 25 mOhms
MSC030SMB120Q MSC030SMB120Q Fiche technique 30 mOhms
MSC045SMB120Q MSC045SMB120Q Fiche technique 45 mOhms
Publié le: 2025-09-19 | Mis à jour le: 2026-10-12