Wolfspeed 1700 V diskrete Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die diskreten Siliziumkarbid- MOSFETs (SiC) 1700V von Wolfspeed wurden entwickelt, um in Hochspannungs Leistungsumwandlung außergewöhnliche Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu bieten. Durch den Einsatz fortschrittlicher SiC-Technologie ermöglichen diese MOSFETs schnellere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Betriebsfrequenzen und geringere Leistungsverluste im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen. Das Ergebnis sind kleinere, leichtere und effizientere Systemdesigns mit reduzierten Kühlungsanforderungen und niedrigeren Gesamtsystemkosten. Die Wolfspeed 1700V-Bauelemente bieten einen Gate-Drive-Betrieb von 12 V bis 15 V, eine niedrige Kapazität und eine hohe Sperrspannung. Sie bieten eine robuste Leistung in anspruchsvollen industriellen und Energieanwendungen.

Die in mehreren Gehäuseausführungen erhältlichen SiC-MOSFETs sind mit RDS(on)-Werten bis hinunter zu 30 mΩ, Nennströmen bis zu 69 A und maximalen Sperrschichttemperaturen von +175 °C für leistungsstarke Leistungselektronik-Designs optimiert. Große Kriechstrecke und Luftstrecken erhöhen die Sicherheit und Zuverlässigkeit, während Hochgeschwindigkeitsschaltungen dazu beitragen, die Größe von Induktivitäten, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren zu reduzieren. Diese MOSFETs eignen sich ideal für Hilfsstromversorgungen, Schaltnetzteile (SMPS), Wechselrichter, Systeme auf 1500-V-Basis, Hochspannungs- DC/DC- Wandler, Motorantriebe und Impulsleistungsanwendungen, bei denen Effizienz, Langlebigkeit und kompaktes Design von entscheidender Bedeutung sind.

Merkmale

  • 12 V bis 15 V Gate-Antriebs-Spannungsbereich
  • 0 V Ausschaltspannung bei Verwendung in Flyback-Applikationen
  • Weite Kriech- und Luftstrecke zwischen Drain und Quelle
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
  • Höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte
  • Versorgen Sie mehrere 12 V bis 48 V Geräte mit reduzierten Kühlanforderungen

Applikationen

  • Hilfsnetzteile
  • Schaltnetzteile
  • Leistungsinverter
  • Systeme auf Basis von 1500 V
  • Hochspannungs-DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerungen
  • Pulsleistungsapplikationen

Applikationsinfos

  • PRD-06752: PCB-Layout-Techniken für diskrete SiC-MOSFETs
  • PRD-05652: Montageempfehlungen und thermische Messung für Wolfspeed SiC-Leistungsbauelemente in Durchsteckgehäusen
Veröffentlichungsdatum: 2026-09-18 | Aktualisiert: 2026-09-28