IMZA65R048M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R048M1HXKS
IMZA65R048M1HXKSA1

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Cycle de vie:
NRND:
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Fiche technique:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 13 ns
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 12.6 ns
Série: IMZA65R048
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 17 ns
Délai d'activation standard: 14.8 ns
Raccourcis pour l'article N°: IMZA65R048M1H SP005398433
Poids de l''unité: 6 g
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Fiche technique

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Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET et diodes CoolSiC™ au carbure de silicium

Les MOSFET et diodes CoolSiC™ au carbure de silicium d'Infineon fournissent une gamme qui répond au besoin d’une production, d’une transmission et d’une consommation d’énergie plus intelligentes et plus efficaces. Le portefeuille CoolSiC répond aux besoins des clients en matière de réduction de la taille et du coût des systèmes de moyenne à haute puissance tout en respectant les normes de qualité les plus élevées, en offrant une longue durée de vie du système et en garantissant la fiabilité. Avec CoolSiC, les clients atteindront les objectifs d’efficacité les plus stricts tout en observant une baisse des coûts des systèmes opérationnels. Le portefeuille se compose de diodes SCHOTTKY CoolSiC, de modules hybrides CoolSiC, de modules MOSFET CoolSiC et de CI pilotes de grille EiceDRIVER™ pour piloter les dispositifs au carbure de silicium.

MOSFET CoolSiC™

Les MOSFET CoolSiC™ d'Infineon s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour permettre à la fois les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité en fonctionnement. La gamme de CoolSiC discret en boîtiers TO et CMS est disponible en classes de tensions de 650 V, 1 200 V et 1 700 V, avec une résistance en marche nominale de 27 mΩ à 1 000 mΩ. La technologie de tranchée CoolSiC permet un ensemble de paramètres flexible, qui est utilisé pour la mise en œuvre de caractéristiques spécifiques aux applications dans les portefeuilles de produits respectifs. Ces caractéristiques comprennent des tensions grille-source, des spécifications d’avalanche, une capacité de court-circuit ou une diode de corps interne nominale pour commutation dure.

MOSFET CoolSiC™ 650 V

Les MOSFET CoolSiC   ™ 650 V Infineon Technologies combinent la force physique du carbure de silicium avec des caractéristiques d’amplification des performances, de fiabilité et de facilité d’utilisation du composant. Grâce à son procédé de semi-conducteur à tranchée de pointe, le MOSFET CoolSiC™ offre les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement. CoolSiC est idéal pour une utilisation dans les applications à haute température et dans les environnements difficiles.

Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC™ M1 650 V

Les MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC ™ M1 650 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent la performance, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Les MOSFET CoolSiC M1 s'appuient sur un processus de semiconducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d'application les plus faibles et la fiabilité la plus élevée en fonctionnement. Adaptés aux températures élevées et aux opérations difficiles, ces dispositifs permettent le déploiement simplifié et économique d'un système de la plus haute efficacité. 

Systèmes de stockage d'énergie (ESS) résidentiels

Les solutions de stockage d'énergie (ESS) résidentielles Infineon offrent une large variété de produits pour créer et gérer des infrastructures énergétiques résilientes à un coût optimal. Les ESS offrent deux cas d'utilisation principaux. Le premier cas est la création de maisons alimentées par énergie solaire et indépendantes des fournisseurs d'électricité (ESS résidentiel). Le deuxième cas, à une plus grande échelle, est la fourniture d'électricité additionnelle pendant les périodes de forte demande (ESS utilitaire à grand échelle).

En stock: 323

Stock:
323 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
52 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
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