Doorgaan naar hoofdcontent

Onderdeel van het TTI-team van specialistenBel met Mouser (Nederland) +31 88 1300 700Feedback

Locatie wijzigen

+31 88 1300 700 Locatie wijzigen

Op voorraad

RoHS

Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

GTRB266502FC-V1-R2

MACOM

Mouser-nr.

941-GTRB266502FCV1R2

Fabrikantnr:

GTRB266502FC-V1-R2

Fabrikant:

MACOM

Omschrijving:

GaN FET's 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)

Levenscyclus:

Speciale fabrieksorder:

Vraag een offerte aan om de huidige prijs, levertijd en bestelvoorwaarden van de fabrikant te raadplegen.

Gegevensblad:

GTRB266502FC-V1-R2 Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	MACOM
Productcategorie:	GaN FET's
RoHS:
Technologie:	GaN
Merk:	MACOM
Vochtgevoelig:	Yes
Verpakken:	Reel
Producttype:	GaN FETs
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	250
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	GaN HEMT

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

GTRB266502FC-V1-R2 Gegevensblad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: Verenigde Staten
Land van herkomst van de assemblage:: Niet beschikbaar
Land van diffusie:: Niet beschikbaar

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

UITGELICHTE PRODUCTEN

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

Meer informatie

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

Meer informatie

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

Meer informatie

5 G RF-JFET s en LDMOS-FETs

Thermisch verbeterde hoogvermogenstransistoren voor de volgende generatie draadloze transmissie.

Meer informatie

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.

Meer informatie

Beschikbaarheid

Voorraad:: Niet op voorraad, bel om een offerte aan te vragen

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.