Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

NCV5700DR2G

Name: onsemi NCV5700DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV5700DR2G
Price: 1.42 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV5700DR2G

Herst.- Nr.:

NCV5700DR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Datenblatt:

NCV5700DR2G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NCV5700DR2G

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	7.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	0 V
Versorgungsspannung - Max.:	24 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	9.2 ns
Abfallzeit:	7.9 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NCV5700
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	75 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	75 ns
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Ausgangsspannung:	5 V
Pd - Verlustleistung:	900 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	142 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NCV5700DR2G Datenblatt

Errata

Datasheet update for NCV5700/NCD5700/01 series, DESAT charge current (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NCV5700 Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber

Der Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber NCV5700 von onsemi verfügt über einen Hochstromausgang von +4/-6 A bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen. Der NCV5700 ist ein eigenständiger Hochleistungs-IGBT-Treiber für Hochleistungs-Applikationen. Zu diesen Applikationen gehören Solar-Wechselrichter, Motorsteuerung und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Dieses Bauelement bietet eine kostengünstige Lösung durch Eliminierung vieler externe Komponenten. Die Schutzfunktionen des Bauelements umfassen aktive Miller-Klemme, genaue UVLO, EN-Eingang, DESAT-Schutz und aktiver niedriger Fehlerausgang. Der Treiber hat einen genauen 5,0V-Ausgang und separate Hoch- und Niedrig- Treiberausgänge (VOH und VOL) für ein komfortables Systemdesign. Ein breiter Spannungsbereich von Vorspannungsversorgungen, einschließlich unipolaren und bipolaren Spannungen wird untergebracht. Der NCV5700 ist in einem 16-Pin-SOIC-Gehäuse erhältlich.
Mehr erfahren

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI

NCV84003G High-Side-eFuse

Das Bauteil kann mechanische Sicherungen ersetzen und Strom in einer intelligenten Stromverteilungsarchitektur liefern.

Mehr erfahren

FAD1100-F085 Zünd-Gate-Drive-IC

Steuert einen Zünd-IGBT direkt an und regelt sowohl den Spulenstrom als auch den resultierenden Zündfunken.

Mehr erfahren

NCV84003F Einkanal-High-Side-Treiber

Das Bauteil schaltet eine Vielzahl von Lasten, beispielsweise Glühbirnen, Solenoide und andere Aktoren.

Mehr erfahren

NCP402045 Integrierter Treiber und MOSFET

Enthält einen MOSFET-Treiber, einen High-Side-MOSFET und einen Low-Side-MOSFET in einem einzigen Gehäuse.

Mehr erfahren

NCP5892 GaN-Leistungsschalter mit Erweiterungsmodus

Integriert einen leistungsstarken Hochfrequenztreiber und ein 650-V-GaN-HEMT in einer einzigen Schalterstruktur.

Mehr erfahren

Auf Lager: 2.646

Lagerbestand:: 2.646 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 25 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,42 €	1,42 €
	1,04 €	10,40 €
	0,92 €	23,00 €
	0,839 €	83,90 €
	0,789 €	197,25 €
	0,759 €	379,50 €
	0,691 €	691,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,64 €	1.600,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

NCV5700DR2G

Herst.: onsemi

Beschreibung: Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Technische Daten

Dokumente (7)

Datenblatt

Errata

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

NCV5700 Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE ONSEMI

Auf Lager: 2.646

Preis (EUR)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI