MOSFET EliteSiC M1

Les MOSFET EliteSiC M1  d'onsemi disposent  d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1  d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 795En stock
45,03 €
34,62 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1.404En stock
18,19 €
12,82 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2.389En stock
11,65 €
6,49 €
6,24 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947En stock
Bande coupée
18,13 €
13,62 €
12,91 €
12,89 €
Bobine
12,89 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 747En stock
31,02 €
24,16 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1.135En stock
11,90 €
6,64 €
6,61 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1.830En stock
Bande coupée
8,12 €
4,75 €
4,44 €
4,20 €
Bobine
4,20 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1.733En stock
6,52 €
4,55 €
4,34 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 660En stock
10,95 €
6,05 €
5,68 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1.930En stock
Bande coupée
10,44 €
5,87 €
5,72 €
5,41 €
Bobine
5,41 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1.182En stock
14,50 €
10,10 €
9,27 €
8,77 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 205En stock
23,69 €
15,53 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181En stock
12,26 €
6,56 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266En stock
41,47 €
35,28 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224En stock
24,42 €
15,90 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53En stock
Bande coupée
25,11 €
18,83 €
17,39 €
15,59 €
Bobine
15,59 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MW 1200V 2.163En stock
Bande coupée
33,51 €
25,34 €
25,33 €
23,99 €
Bobine
23,99 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 755En stock
33,24 €
23,44 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426En stock
Bande coupée
11,76 €
7,00 €
6,62 €
Bobine
6,62 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 187En stock
29,53 €
23,55 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363En stock
45030-10-26 attendu
20,07 €
12,65 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477En stock
450Sur commande
8,64 €
4,74 €
4,37 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84En stock
Bande coupée
47,63 €
38,65 €
34,53 €
Bobine
34,53 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 390En stock
1.600Sur commande
Bande coupée
11,26 €
7,54 €
6,69 €
5,93 €
Bobine
5,93 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183En stock
11,24 €
6,24 €
5,96 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC