NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Fabrikant:

Omschrijving:
SiC MOSFET's SIC MOS TO247-4L 650V

Gegevensblad:
ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.
Meer informatie
Meer informatie over onsemi NTH4L060N065SC1

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
onsemi
Productcategorie: SiC MOSFET's
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
Merk: onsemi
Configuratie: Single
Daaltijd: 11 ns
Voorwaartse transconductantie - min: 12 S
Verpakken: Tube
Producttype: SiC MOSFETS
Stijgtijd: 14 ns
Reeks: NTH4L060N065SC1
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 30
Subcategorie: Transistors
Technologie: SiC
Typische uitschakelvertragingstijd: 24 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 11 ns
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Gegevensblad

PCN

Conformiteitscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificaties oorsprong
Land van oorsprong:
China
Land van herkomst van de assemblage:
China
Land van diffusie:
Republiek Korea
Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET provides superior switching performance and higher reliability. The MOSFET has low ON resistance and its compact chip size ensures low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

In voorraad: 400

Voorraad:
400 Kan onmiddellijk worden verzonden
Fabriekslevertijd:
49 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
-,-- €
Ext. Prijs:
-,-- €
Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
9,41 € 9,41 €
6,63 € 66,30 €
5,79 € 694,80 €

Er is een onverwachte fout opgetreden.


Hebt u een vraag? Bezoek het Helpcentrum.
Voor vragen over een specifieke bestelling kunt u inloggen op uw account.

Als u nog meer problemen ondervindt, neem dan contact met ons op via 800-346-6873 of stuur een e-mail naar help@mouser.com.