Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

RJ1N04BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1N04BBHTL1
Price: 3.85 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

755-RJ1N04BBHTL1

Fabrikantnr:

RJ1N04BBHTL1

Fabrikant:

ROHM Semiconductor

Omschrijving:

MOSFET's Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

Levenscyclus:

Nieuw product:

Nieuw van deze fabrikant.

Gegevensblad:

RJ1N04BBHTL1 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	ROHM Semiconductor
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
Technologie:	Si
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	TO-263AB-3
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	80 V
Id - Continue afvoerstroom:	100 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	5.3 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	20 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4 V
Qg - Ingangsbelasting:	46 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Pd - Vermogensverlies:	89 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Merk:	ROHM Semiconductor
Configuratie:	Single
Daaltijd:	38 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	20 S
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	14 ns
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	800
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	1 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd:	65 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	30 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

RJ1N04BBHTL1 Gegevensblad

Other

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

Conformiteitscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificaties oorsprong

Land van oorsprong:: China
Land van herkomst van de assemblage:: Niet beschikbaar
Land van diffusie:: Niet beschikbaar

Het land kan op het moment van verzending wijzigen.

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I²C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I²C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.

RJ1N04BBH N-Ch Power MOSFET

ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N-Ch Power MOSFET offers an 80V drain-source voltage with low on-resistance. The device features a ±100A continuous drain current and 89W power dissipation. The RJ1N04BBH is suitable for many applications, including switching, motor drives, and DC/DC converters. The ROHM RJ1N04BBH MOSFET is available in a high-power TO263AB package.

UITGELICHTE PRODUCTEN

ROHM SEMICONDUCTOR

600V Super Junction (SJ) MOSFETs

Compact, low-profile package options that provide excellent heat dissipation.

Meer informatie

RH7G03BBJFRA P-Channel Power MOSFET

This MOSFET has a V_DSS rating of -40V and an I_D rating (V_DS = -10V) of ±22A.

Meer informatie

RJ1P10BAT P-Channel Power MOSFET

This MOSFET has a V_DSS rating of -100V and an I_D rating (V_DS = 10V) of ±105A.

Meer informatie

RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

AEC-Q101 MOSFETs featuring low forward voltage, fast recovery time, and high surge capability.

Meer informatie

RQxAT P-Channel MOSFETs

Feature surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested.

Meer informatie

In voorraad: 772

Voorraad:: 772 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 18 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

-,-- €

Ext. Prijs:

-,-- €

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	3,85 €	3,85 €
	2,54 €	25,40 €
	1,79 €	179,00 €
	1,53 €	765,00 €
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 800)
	1,53 €	1.224,00 €

RJ1N04BBHTL1

Fabrikant: ROHM Semiconductor

Omschrijving: MOSFET's Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

Specificaties

Documenten (3)

Gegevensblad

Other

Milieudocumenten

Product- en handelsconformiteit

Meer informatie

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

RJ1N04BBH N-Ch Power MOSFET

Andere klanten kochten ook

UITGELICHTE PRODUCTEN ROHM SEMICONDUCTOR

In voorraad: 772

Prijsbepaling (EUR)

Snelle weergave

Er is een onverwachte fout opgetreden.

Fabrikant:

ROHM Semiconductor

Omschrijving:

MOSFET's Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

UITGELICHTE PRODUCTEN

ROHM SEMICONDUCTOR