IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Resultaten: 13
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
IXYS SiC MOSFET's 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Gegevensblad
815In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Gegevensblad
537In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Gegevensblad
900In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Gegevensblad
2.090In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Gegevensblad
550In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's SiC MOSFET in TO263
Gegevensblad
894In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's SiC MOSFET in TO263-7L
Gegevensblad
890In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's SiC MOSFET in TO263-7L
Gegevensblad
900In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's SiC MOSFET in TOLL
Gegevensblad
2.095In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's SiC MOSFET in TOLL
Gegevensblad
2.090In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's TO247 1200V N CH 20A
Gegevensblad
546In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's SiC MOSFET in TO247-4L HV
Gegevensblad
550In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET's SiC MOSFET in TO247-4L HV
Gegevensblad
550In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement