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NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 42.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVXK2TR80WDT

Herst.- Nr.:

NVXK2TR80WDT

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Datenblatt:

NVXK2TR80WDT Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	APM-32
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	116 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	82 W
Serie:	NVXK2TR80WDT
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual Half-Bridge
Abfallzeit:	9 ns
Höhe:	5.8 mm
Länge:	44.2 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	12 ns
Verpackung ab Werk:	60
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Typ:	Half-Bridge
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Breite:	29 mm

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Datenblatt

NVXK2TR80WDT Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVXK2TR80WDT Siliziumkarbid(SiC)-Modul

Das onsemi NVXK2TR80WDT Siliziumkarbid(SiC)-Modul ist ein 1200 V, 80 mΩ und 20 A Dual-Halbbrücken-EliteSiC-Leistungsmodul, das in einem APM32 DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht ist. Dieses SiC-Modul ist für einen niedrigen Gesamtmodulwiderstand kompakt ausgelegt. Das NVXK2TR80WDT Leistungsmodul ist gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS- und UL94V-0-konform. Das NVXK2TR80WDT EliteSiC-MOSFET-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in HV-DC/DC- und On-Board-Ladegeräten in xEV-Applikationen.

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NVXK2TR80WDT

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFET-Module APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

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