.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Linear Integrated Systems Neueste Diskrete Halbleiter

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von diskreten Halbleitern

Liste Bilder

Angewendete Filter:

Hersteller = Linear Integrated Systems Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs

09-21-2023

- Wideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs that are pin-for-pin replacements.

Linear Integrated Systems J500 Current Regulating Diodes

09-07-2023

- Wide 0.192mA to 5.6mA current range and are for current-limiting and constant-current applications.

Ansicht: 1 - 2 von 2

Filtern nach:

Texas Instruments ESD551/ESD551-Q1 Bidirektionale ESD-Dioden

10-27-2026

- Einkanalige bidirektionale ESD-Dioden für Stromleitungen, Datenleitungen und I/O-Ports.

ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit breitem SOA

10-23-2026

- Bietet einen erweiterten sicheren Betriebsbereich, der dazu beiträgt, sekundäre Durchschläge zu unterdrücken.

ROHM Semiconductor ESDxxVFM Transientenspannungsunterdrücker

10-23-2026

- Diese Bauteile mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit und eine ultrakompakte Gehäuseform aus.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive-Field-Stop-Trench-IGBTs

10-22-2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch geringe Schalt- und Leitungsverluste aus.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive-Field-Stop-Trench-IGBTs

10-22-2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch geringe Schalt- und Leitungsverluste aus.

Diodes Incorporated DMN2005K N-Kanal-E-Mode-Feldeffekttransistor

10-19-2026

- Zeichnet sich durch einen geringen Durchlasswiderstand, eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung und ein schnelles Schaltverhalten aus.

Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

10-14-2026

- 50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.

Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor

10-06-2026

- Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

10-06-2026

- 220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.

Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode

10-05-2026

- Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.

Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

10-05-2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden

10-05-2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul

10-02-2026

- 1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.

Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray

10-01-2026

- Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD

Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie

09-22-2026

- Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.

IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule

09-22-2026

- Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09-17-2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09-16-2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung

09-15-2026

- Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09-14-2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode

09-14-2026

- Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.

Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09-10-2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09-10-2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode

09-10-2026

- Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.

Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09-10-2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Ansicht: 1 - 25 von 1047

Linear Integrated Systems Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern

Angewendete Filter:

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support