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STGP10H60DF

Name: STMicroelectronics STGP10H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10H60DF
Price: 1.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGP10H60DF

N° de fab. :

STGP10H60DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd

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Fiche technique:

STGP10H60DF Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	20 A
Pd - Dissipation d’énergie :	115 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGP10H60DF
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	10 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

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PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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	0,869 €	86,90 €
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	0,591 €	1.182,00 €

STGP10H60DF

Fab. : STMicroelectronics

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